反應離子蝕刻機的技術指標：

       在射頻電源的驅動下，反應離子蝕刻機在上下電極之間形成電壓差，產生光放電，通過電離產生等離子體游離基和蝕刻材料，產生氣流（真空系統(tǒng)）帶走的揮發(fā)性化合物。

反應離子蝕刻機設備：

       典型的（平行板）RIE系統(tǒng)包括位于房間底部的圓柱形真空室。晶片板與腔室其他部分電氣隔離。氣體通過腔室頂部的小入口進入，真空泵系統(tǒng)通過底部離開。使用的氣體類型和數量取決于蝕刻過程；例如，六氟化硫通常用于蝕刻硅。通過調節(jié)氣流和/或排氣孔，氣壓通常保持在幾毫托和幾百毫托之間。

       還有其他類型的RIE系統(tǒng)，包括電感耦合等離子體(ICP)RIE。在這個系統(tǒng)中，等離子體是由RF電源的磁場產生的。雖然蝕刻輪廓傾向于更多的向同性，但等離子體密度非常高。

       平行板和電感耦合等離子體RIE的組合是可能的。在該系統(tǒng)中，ICP被用作提高蝕刻率的高密度離子源，并將單獨的RF偏向電場，以實現更多的異性蝕刻輪廓。

       以上是小編今日為大家介紹的反應離子蝕刻機的全部內容，感謝您耐心的閱讀！