影響離子束濺射均勻性的因素

  離子束濺射產(chǎn)生的薄膜厚度均勻性是成膜性質(zhì)的重要指標(biāo)，因此有必要研究影響離子束濺射均勻性的因素，以便更好地實(shí)現(xiàn)離子束濺射均勻涂層。簡單地說，離子束濺射是在正交電磁場(chǎng)中，封閉的磁場(chǎng)束縛著電子在靶線周圍移動(dòng)，在運(yùn)動(dòng)過程中不斷撞擊工作氣體，氬氣電離了大量氬離子。氬離子在電場(chǎng)作用下加速目標(biāo)轟擊，濺射中性靶原子（或分子）沉積在基板上形成薄膜。因此，為了實(shí)現(xiàn)均勻的涂層，需要均勻地濺射靶原子（或分子），這需要均勻的氬離子。由于氬離子在電場(chǎng)作用下加速了目標(biāo)的轟擊，因此均勻的轟擊在很大程度上取決于電場(chǎng)的均勻性。氬離子來自工作氣體氬氣，它們受到運(yùn)動(dòng)中封閉磁場(chǎng)的束縛，這需要磁場(chǎng)和工作氣體氬氣的均勻性。在實(shí)際的離子束濺射裝置中，這些因素是不均勻的，因此有必要研究它們對(duì)成膜均勻性的影響。

磁場(chǎng)影響不均勻。

  由于實(shí)際離子束濺射裝置中的電場(chǎng)和磁場(chǎng)不均勻或正交，它們都是空間函數(shù)。三維運(yùn)動(dòng)方程的表達(dá)式無法解決，至少?zèng)]有初始函數(shù)的解決方案。因此，很難計(jì)算磁場(chǎng)不均勻?qū)﹄x子的影響，即對(duì)成膜不均勻的影響。一個(gè)好的方法是配合實(shí)驗(yàn)的具體分析。

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