隨著微電子產業(yè)的發(fā)展，集成，設備尺寸，使許多傳統(tǒng)的微電子材料和技術面臨巨大的挑戰(zhàn)，但原子層沉積(ALD)技術作為一種優(yōu)良的涂層技術，由于其高膜純度、均勻性和保護性，也能非常準確地控制膜的厚度和成分，仍受到廣泛關注，原子層沉積設備廣泛應用于半導體、光學、光電子、太陽能等領域。

原子層沉積設備ALD技術的主要優(yōu)勢。

前驅體是一種飽和化學吸附劑，可以產生大面積均勻的薄膜。

作為臺階覆蓋和納米孔材料的涂層，可生成優(yōu)良的三維保形化學計量膜。

可以很容易地進行摻雜和界面修正。

多組分納米片和混合氧化物可以沉積。

低溫(室溫至400℃)可進行薄膜生長。

固有的沉積均勻性，易于縮放，可按比例直接放大。

薄膜的厚度可以簡單準確地控制反應周期數(shù)，從而形成薄膜，達到原子層厚度的精度。

對灰塵相對不敏感，薄膜可以在灰塵顆粒下生長。

可廣泛應用于各種形狀的基底。

反應物流量的均勻性不需要控制。

一個ALD沉淀周期可分為四個步驟：

(1)化學吸附或反應發(fā)生在反應前驅體和基片表面。

(2)利用惰性氣體將多余的前驅體和副產物從反應腔中去除。

(3)第二反應前體與基片表面的前體發(fā)生化學反應，產生薄膜。

(4)反應完全后，用惰性氣體將多余的前驅體和副產物從腔體中去除。

前驅體的特點：

(1)揮發(fā)性好(易液化)。

(2)反應性高。

(3)化學穩(wěn)定性好。

(4)不會腐蝕薄膜或基片，反應產物呈惰性。

(5)液體或氣體較好。

(6)材料無毒，防止環(huán)境污染。

以上就是小編今日為大家介紹的原子層沉積設備的原子層沉積(ALD)技術，感謝大家耐心的閱讀！